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型号 SI8461DB-T2-E1
厂商 Vishay Siliconix
描述 MOSFET P-CH D-S 20V MICROFOOT
SI8461DB-T2-E1 PDF
代理商 SI8461DB-T2-E1
标准包装 1
系列 TrenchFET®
FET 型 MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 20V
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 100 毫欧 @ 1.5A，4.5V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 24nC @ 8V
输入电容 (Ciss) @ Vds 610pF @ 10V
功率 - 最大 780mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 4-XFBGA，CSPBGA
供应商设备封装 4-Microfoot
包装 剪切带 (CT)
其它名称 SI8461DB-T2-E1CT
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